刘波博士
研究员，博士生导师
纳米光电材料与微结构研究中心主任
电话: 18964733679
信箱:liubo@mail.usts.edu.cn
地址:逸夫楼-B251
教育：
PhD (材料学)中国科公司上海光学精密机械研究所，师从中国科公司院士干福熹研究员，2003
MS (材料学)中国科公司上海光学精密机械研究所，2000
BS (材料学)齐鲁工业大学，1997
工作经历：
2019.12-至今研究员（二级），必威体育纳米光电材料与微结构研究中心主任
2017.7-2019.12研究员（三级），必威体育纳米光电材料与微结构研究中心主任
2014.1-2017.6 研究员（三级），中国科公司上海微系统与信息技术研究所
2009.1-2013.12 研究员（四级），博导，中国科公司上海微系统与信息技术研究所
2005.3-2008.12 副研究员，硕导，中国科公司上海微系统与信息技术研究所
2003.6-2005.3 博士后（微电子学与固体电子学），中国科公司上海微系统与信息技术研究所
奖励荣誉和学术兼职（选）：
[1]2022年，必威体育“三育人”工作先进个人奖
[2]2021年-至今，中国材料研究学会高级会员
[3]2021年-至今，中国神经科学学会会员
[4]2020年，江苏省双创人才（高校创新类）
[5]2020年-至今，中国电子学会高级会员
[6]2019年，第一届上海市知识产权创新奖专利商标二等奖
[7]2019年，上海市技术发明二等奖
[8]2019年-至今，必威体育学术委员会委员
[9]2018年，江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象（中青年领军人才）
[10]2017年，中国电子学会技术发明三等奖
[11]2016年，国家重点研发计划专家库-“纳米科技”重点专项核心入库专家
[12]2011年，入选上海市青年科技启明星二十周年典型宣传案例画册
[13]2011年，中国科公司青年创新促进会会员
[14]2009年，国家纳米重大科学研究计划（973）项目首席科学家
[15]2009年，上海市青年科技启明星跟踪获得者
[16]2008年，首届中国科公司卢嘉锡青年人才奖获得者
[17]2008年-至今，中国物理学会固体缺陷专业委员会委员
[18]2006年，上海市青年科技启明星获得者
主持科研和平台项目：
[1]华为技术有限公司横向项目，2023.4 -2024.4，164.80万
[2]华为技术有限公司横向项目，2021.7-2022.7，100.34万
[3]江苏省双创人才资助项目，2020.9-2023.8，50万
[4]江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象资助科研项目，2020.7-2022.6，30万
[5]江苏省高等公司自然科学研究重大项目，2019.9-2022.8，30万
[6]苏州市重点实验室项目，2018.7-2021.6，60万（其中校配套30万）
[7]必威体育高层次人才引进科研启动经费，2017.7-至今，1000万
[8]中国科公司青年创新促进会资助项目，2012.1-2015.12，40万
[9]国家纳米重大科学研究计划（973）项目，2010.1-2014.8，2912万
[10]上海市青年科技启明星跟踪项目，2009.7-2011.6，20万
[11]国家863重点项目课题子课题，2008.12-2010.12，1035.2万
[12]国家863计划项目，2006. 12-2008. 12，300万
[13]上海市科委“登山行动计划”项目研发基地配套专项项目，2006. 10-2008. 9，90万
[14]上海市科学技术发展基金基础计划处重点项目，2005. 10-2007. 9，30万
[15]上海市科学技术发展基金纳米技术专项项目，2003. 10-2005. 9，40万
授权发明专利（第一发明人）：
[1]刘波等。一种相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL 201510177956.3，申请日期：2015-4-15，授权公告日：2017-4-19
[2]刘波等。包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 201310370885.X，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-7-6
[3]刘波等。一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，专利号：ZL 201310534339.5，申请日期：2013-10-31，授权公告日：2016-6-1
[4]刘波等。三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 201310370735.9，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-3-9
[5]刘波等。相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL 201110020727.2，申请日期：2011-1-18，授权公告日：2014-7-2
[6]刘波等。包含夹层的相变存储器及制作方法，专利号：ZL 200910045870.X，申请日期：2009-1-23，授权公告日：2012-8-29
[7]刘波等。用于相变存储器的加热电极材料及制备方法，专利号：ZL 200610023390.X，申请日期：2006-1-18，授权公告日：2011-7-20
[8]刘波等。掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法，专利号：ZL 200910053119.4，申请日期：2009-6-15，授权公告日：2011-2-16
[9]刘波等。相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法，专利号：ZL 200710043924.X，申请日期：2007-7-17，授权公告日：2009-8-19
[10]刘波等。一种纳米相变存储器器件单元的制备方法，专利号：ZL 200410053564.8，申请日期：2004-8-6，授权公告日：2008-6-25
[11]刘波等。采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法，专利号：ZL 200510110783.X，申请日期：2005-11-25，授权公告日：2008-4-23
[12]刘波等。一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法，专利号：ZL 200410053752.0，申请日期：2004-8-13，授权公告日：2007-12-19
[13]刘波等。可用于相变存储器多级存储的相变材料，专利号：ZL 200410067987.5，申请日期：2004-11-10，授权公告日：2007-7-11
研究成果与代表性论文（选）:
主要研究兴趣包括纳米光电材料与器件（信息存储材料与器件、新能源材料与器件、传感器材料与器件）。中国科公司上海微系统与信息技术研究所兼职研究员，齐鲁工业大学客座教授。负责和参与科研项目合计64项，包括国家纳米重大科学研究计划（973）、国家863计划、国家自然科学基金、上海市、中国科公司和江苏省等科研项目，总经费超过3.4亿元。已发表期刊论文357篇（SCI论文270篇），H因子36，授权中国发明专利132项、美国发明专利5项，参与《Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications》、《中国材料工程大典》、《光子学技术与应用》、《相变存储器》和《大辞海》等五部著作的编写。指导研究生46名（博士16名、硕士30名）。入选国家重点研发计划重点专项评审（“纳米科技”领域）核心专家库，国家重点研发计划项目评审会评专家、教育部“长江学者”和科技奖励函评专家、国家自然科学基金重点项目函评专家、上海市科委/经信委重大项目评审会评专家等。成功组织过三次国际信息存储会议和第十四届全国固体缺陷学术研讨会，新华社、人民网、文汇报、科技日报等媒体对会议进行了专门报道，反响巨大。在产业化方面亦取得了突出成就，研制的4Kb打印机用PCRAM芯片产品已获得1600万颗试用订单。
[1] International Journal of Hydrogen Energy, 2024,53: 353-363
[2] Composites Communications, 2024,45: 101795
[3] Journal of Alloys and Compounds, 2024,976: 173074
[4] Carbohydrate Polymers, 2024,324: 121514
[5] Journal of Alloys and Compounds, 2024,970: 172095
[6] Journal of Materials Chemistry C, 2023,11(38): 12999-13009
[7] Applied Physics Letters, 2023,123(19): 191110
[8] Ceramics International, 2023,49(23): 37837-37848
[9] ACS Applied Nano Materials, 2023,6(13): 12200-12210
[10] Energy Storage Materials, 2023,63: 102961
[11] Applied Physics Letters,2023,122(22): 222108
[12] Composites Communications, 2023,39: 101553
[13] Journal of Alloys and Compounds, 2023,942: 169073
[14] Sensors and Actuators B: Chemical, 2023,378: 133118
[15] Journal of Alloys and Compounds, 2023,934: 167861
[16] Chemical Engineering Journal, 2022,451(3): 138824
[17] Journal of Alloys and Compounds, 2022,920: 166067
[18] Applied Surface Science,2022,599: 153980
[19] Journal of Alloys and Compounds,2022,911: 165131
[20] Chemical Engineering Journal, 2022,431(1): 133935
[21] Electrochimica Acta, 2022,414: 140213
[22] Journal of Alloys and Compounds, 2022,908: 164593
[23] Journal of Alloys and Compounds, 2021,892: 162243
[24] ACS Applied Energy Materials, 2021,4(9): 9902-9912
[25] Chinese Physics B, 2021,30(5): 058504
[26] Materials Chemistry and Physics,2021,266: 124558
[27] Journal ofMaterials Chemistry C, 2020,8: 1231-1238
[28] Journal ofPhysical Chemistry C, 2019,123(50): 30640-30648
[29] Surface & Coatings Technology, 2018,353: 309-315
[30] Advanced Materials Interfaces, 2018,5(10): 1701679
[31] Angewandte Chemie-International Edition, 2018,57: 4543-4548
[32] Carbon, 2018,134: 500-506
[33] Carbon, 2017,116: 713-721
[34] ACS Applied Materials & Interfaces, 2016,8(32): 20885-20893
[35] Applied Surface Science, 2016,378: 163-166
[36] Chemistry–A European Journal, 2016, 22(7): 2247-2252
[37] Applied Physics Letters, 2015,107(22): 222101
[38] Nano-Micro Letters, 2015,7(2): 172-176
[39] Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications, Chapter 11-Phase Change Random Access Memory, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2015.1, Singapore: 463-589
[40] IEEETransactions on Electron Devices, 2014,61(3): 682-687
[41]《大辞海·材料科学卷》（夏征农、陈至立主编，郭景坤等编），“信息功能材料”，“信息储存材料”，上海辞书出版社，2014.12，上海：563-577
[42] Applied Surface Science, 2013,283: 304-308
[43] IEEE Electron Device Letters, 2012,33(8): 1192-1194
[44] IEEE Electron Device Letters, 2011,32(8): 1014-1016
[45]《相变存储器》（宋志棠著），第2章“Ge2Sb2Te5相变材料及其改性”，第1-3节，科学出版社，2010.2，北京：22-45
[46] Applied Surface Science, 2008,254(15): 4638-4643
[47] Applied Physics Letters, 2008,92: 062103
[48] Applied Surface Science, 2007,253(14): 6125-6129
[49]《光子学技术与应用》（刘颂豪院士主编），第13编“光存储技术”（干福熹院士主编），第二章“光盘存储技术”，第六节“相变可擦重写型光盘”，广东科技出版社、安徽科技出版社，2006.9，广州、合肥：1265-1273
[50]《中国材料工程大典》（路甬祥院士主编），第12卷“信息功能材料工程”（中）（王占国院士、陈立泉院士和屠海令主编），第8篇“存储材料”，第14章“非易失性存储材料”，化学工业出版社，2006.3，北京：269-272
[51] Microelectronic Engineering, 2005,82(2): 168-174
[52] Applied Surface Science, 2005,242(1-2): 62-69
[53] Material Science Engineering B, 2005,119(2): 125-130
[54] Thin Solid Films, 2005,478(1-2): 49-55
[55] 相变型半导体存储器研究进展，物理，2005，34(4): 279-286
[56] Semiconductor Science and Technology, 2004,19(6): L61-L64
